RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
2767
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link