SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    5 left arrow 15.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,381.6 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 60
    Intorno -71% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    5,082.2 left arrow 15.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,381.6 left arrow 11.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    925 left arrow 2767
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti