RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3171
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link