RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2821
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link