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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2821
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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