RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
44
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
24
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3990
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link