RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
44
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
34
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2917
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link