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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
14,740.4
16.0
写入速度,GB/s
8,883.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2917
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teclast TLD416G26A30 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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