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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
71
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
71
读取速度,GB/s
12.0
15.4
写入速度,GB/s
7.8
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1586
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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