RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
71
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
1586
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link