RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
57
Autour de 23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.5
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
57
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2213
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link