RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
57
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
57
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2213
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link