RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
57
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
57
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2213
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link