RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
44
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
25
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
1870
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link