RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
1870
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link