SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Note globale
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8,883.4 left arrow 11.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 44
    Autour de -22% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.8 left arrow 14
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 5300
    Autour de 4.02 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 36
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14,740.4 left arrow 15.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8,883.4 left arrow 11.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2811 left arrow 2497
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons