RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2497
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link