RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,303.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
117
Autour de -409% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3115
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link