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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
117
Autour de -166% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
2,303.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
117
44
Vitesse de lecture, GB/s
3,094.8
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,303.7
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
1660
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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