RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
117
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,303.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
1660
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link