RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
68
Autour de -127% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3106
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link