RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
71
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3091
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link