RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
68
Autour de -134% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3308
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link