RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3086
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link