RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3170
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link