RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
68
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3170
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link