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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
68
Autour de -134% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3273
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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