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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
68
Por volta de -134% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,670.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,554.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3273
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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