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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
1,746.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
4200
Por volta de 1.52% maior largura de banda
Razões a considerar
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
104
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
104
47
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
3,627.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
1,746.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
4200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
no data
4-4-4-12 / 533 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
259
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB Comparações de RAM
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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