Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Punteggio complessivo
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo
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Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,746.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 4200
    Intorno 1.52% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    47 left arrow 104
    Intorno -121% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    104 left arrow 47
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,192.0 left arrow 3,627.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,746.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 4200
Other
  • Descrizione
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    786 left arrow 259
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