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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
1,746.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
4200
Intorno 1.52% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
104
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
104
47
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
3,627.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
1,746.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
4200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
4-4-4-12 / 533 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
259
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB Confronto tra le RAM
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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