RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
1,746.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
4200
Wokół strony 1.52% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
104
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
104
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
3,627.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
1,746.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
4200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
no data
4-4-4-12 / 533 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
259
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link