Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Различия

  • Выше скорость записи
    2,404.5 left arrow 1,746.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 4200
    Около 1.52% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    47 left arrow 104
    Около -121% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    104 left arrow 47
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,192.0 left arrow 3,627.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,404.5 left arrow 1,746.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 4200
Other
  • Описание
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    786 left arrow 259
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения