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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
1,746.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
4200
Autour de 1.52% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
104
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
104
47
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
3,627.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
1,746.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
4200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
no data
4-4-4-12 / 533 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
259
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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