Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Note globale
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Note globale
star star star star star
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,746.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 4200
    Autour de 1.52% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    47 left arrow 104
    Autour de -121% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    104 left arrow 47
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,192.0 left arrow 3,627.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,746.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 4200
Other
  • Description
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    786 left arrow 259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons