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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
1,746.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
4200
En 1.52% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
104
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
104
47
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
3,627.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
1,746.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
4200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
4-4-4-12 / 533 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
259
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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