Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Gesamtnote
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote
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Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB

Unterschiede

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,746.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 4200
    Rund um 1.52% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    47 left arrow 104
    Rund um -121% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    104 left arrow 47
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,192.0 left arrow 3,627.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,404.5 left arrow 1,746.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 4200
Other
  • Beschreibung
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    786 left arrow 259
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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