RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
68
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2491
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link