RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,670.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,554.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.7
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2757
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link