RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
73
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
73
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
1744
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KHX16 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link