RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
73
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1744
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link