RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
77
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.5
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
77
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
1440
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link