RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
104
Autour de -271% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2382
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link