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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
63
Autour de -17% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
54
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
2938
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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