SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB

SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB

Note globale
star star star star star
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    952.4 left arrow 14.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    404.9 left arrow 7.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    23 left arrow 123
    Autour de -435% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 4200
    Autour de 4.57 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    123 left arrow 23
  • Vitesse de lecture, GB/s
    952.4 left arrow 14.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    404.9 left arrow 7.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    149 left arrow 2103
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons