SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB

SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    952.4 left arrow 14.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    404.9 left arrow 7.0
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 123
    Intorno -435% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 4200
    Intorno 4.57 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    123 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    952.4 left arrow 14.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    404.9 left arrow 7.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    149 left arrow 2103
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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