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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
2709
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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