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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1570
2709
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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