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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
21300
Por volta de 1.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
23400
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2709
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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