RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
1983
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link