RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
47
Autour de -176% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
17
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
21.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3814
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link