RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
50
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2188
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link