RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
73
Autour de 52% latence réduite
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
73
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
1843
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link